第五代平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

　　公司副总裁骆晓东表示，作为全球存储产业的核心参与者，未来长鑫将继续紧跟全球市场需求，持续推进技术迭代，推出更多高性能、高可靠性的存储产品。