面上，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模等新型材料，以提升EUV光刻性能。

　　相关研究机构表示，海外半导体设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束，主流前道、存储配套设备交付周期拉长至12~24个月，同时开启涨价，三星、SK海力士、美光等龙头扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。