半导体设备ETF易方达连续2日获资金净流入，合计超4亿元。

　　美银证券表示，2026年三季度DRAM均价环比涨20%至30%、NAND涨超15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。三星与SK海力士库存已降至不足10天用量，CSP、服务器与PC厂商普遍面临供给缺口、被迫以长约锁定供货。紧缺之下，原厂资本支出将较去年大幅增加、积极扩产。三星计划2027年将HBM4系列产量至少翻倍，海力士、美光在多地建设新厂。

　　有分析指出，存储厂商扩产将直接带动设备采购需求，扩产进程的各个阶段，均对应前道工艺设备以及后道封装测试设备的采购。本轮扩产并非简单的产能，技术迭代还会带来额外增长弹性：HBM、DRAM、高层数3D NAND等产品，推动刻蚀、薄膜沉积、量测检测等工序的步骤与价值量同步提升。在存储扩产周期中，设备订单具备最高的订单可见度，也是业绩兑现最早的板块。

　　半导体设备ETF易方达跟踪的中证半导体材料设备主题指数聚焦半导体上游设备、材料及零部件等关键环节；科创芯片ETF易方达跟踪的上证科创板芯片指数聚焦科创板芯片设计、制造、封测等全产业链环节，助力投资者把握产业链机遇。

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