SK海力士豪掷383亿美元新建两大晶圆厂,分别布局HBMDRAM与NAND
更新时间:2026-08-10 21:12:21 浏览次数:

  面上,8月7日,SK海力士宣布为应对AI时代存储需求的结构性增长,决定投资约54.35万亿韩元新建晶圆厂。其中,在龙仁半导体产业园投资35.2万亿韩元建设Y2工厂,作为DRAM生产基地,计划明年7月开工,2029年6月启用,生产HBM及下一代DRAM产品;在清州投资19.1万亿韩元建设M17工厂,作为NAND闪存基地,计划明年2月动工,2028年12月启用首个洁净室。

  公司认为,内存正从普通组件转变为决定AI性能的核心基础设施,仅靠技术竞争力已不足,必须在客户需要时精准保供。此次投资标志着公司去年6月发布的中长期投资战略正式启动,龙仁园区四座工厂的完工目标已提前至2033年,清州M17将与现有产线高效联动,公司计划依据中长期需求趋势同步扩大实际产能,以巩固半导体生态竞争力并带动地方经济。

  相关研究机构表示,AI训练、推理及数据中心建设持续拉动HBM、服务器DRAM、企业级SSD等高端存储需求,存储原厂产能向高附加值产品倾斜,带动DRAM、NAND及利基型存储供需偏紧。随着摩尔定律放缓,单纯依靠制程微缩提升芯片性能的难度加大,Chiplet、2.5D/3D封装、TSV、混合键合等先进封装技术成为提升算力密度、带宽和能效的重要路径。

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