三星电子今日宣布，基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。