面上，长鑫科技公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。

　　在对标科创芯片设计指数的ETF产品中，科创芯片设计ETF天弘成交额排名同标的第一；规模排名：截至2026年9月28日，在全市场对标科创芯片设计指数的ETF产品中，科创芯片设计ETF天弘最新规模排名同标的第一。成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据

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