源杰科技发布公告,拟投资建设半导体科技产业园项目,投资总额约为42.68亿元。
据公告,项目资金
据公告,源杰科技拟投资建设源杰半导体科技产业园项目,投资总额约为42.68亿元。项目拟在陕西省西咸新区沣西新城建设,拟购买土地使用权地块位于陕西省西咸新区,土地用地性质为工业用地,使用年限为50年,土地面积约126亩,具体投资方案将根据项目的实际规划批复、项目用地和环境容量等情况进行调整。
项目主要内容为拟建设包含激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地,项目建设期为24个月。本次投资事项已经公司第二届董事会战略委员会2026年第四次会议、第二届董事会审计委员会2026年第五次会议、第二届董事会第三十一次会议审议通过。公司于2026年8月10日召开第二届董事会第三十一次会议,审议通过。因本次投资事项已达到股东会审议标准,尚需提交公司股东会审议,并提请股东会授权管理层在符合相关法律法规、规范性文件及公司章程规定、不改变项目核心投资方向的前提下,全权办理本次投资项目的全部相关事宜。
源杰科技此番大手笔扩产,与其高速增长的经营业绩密切相关。据Wind数据,源杰科技2026年半年度业绩预告显示,预计公司上半年实现营业收入9亿元~9.5亿元,实现净利润6亿元~6.5亿元。作为对照,公司2025年全年营业收入为6.01亿元、净利润为1.91亿元——仅半年预告净利润下限就已达到去年全年的3倍以上,业绩高增长态势显著。在业绩高速增长、市场对高端激光器芯片需求旺盛的背景下,公司选择加码产能布局。
对于本次投资的目的,源杰科技在公告中表示,根据公司战略规划,为把握市场机遇,提升规模化生产能力并增强行业竞争力,公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目。项目旨在突破公司现有产能瓶颈,扩大高端激光器芯片生产规模,推动高端产品规模化生产和产业化应用,进一步提升公司产品交付能力和市场竞争力。从市场定位看,项目聚焦高速激光器芯片领域,把握数据中心市场发展的机遇,契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。公司依托IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础,旨在通过产能扩充与工艺优化,持续响应市场需求变化,提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。
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