9月12日晚间，拓荆科技宣布，拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科半导体设备有限公司增资。

　　其中，由大基金三期持股99.9%的国投集新股权投资基金也出现在增资方名单中，并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东。

　　据天眼查，截至目前，国投集新尚无对外投资，大基金三期持股的三家公司也均为投资平台，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体产业项目。

　　与此同时，拓荆科技还披露一项46亿元规模的定增预案，募投项目包括高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目以及补充流动资金。

　　拓荆键科的净资产账面价值为5521.98万元，收益法评估后的股东全部权益价值为25.29亿元，经协商确定本次融资的投前估值为25亿元，增值率4427.36%。

　　产能预计无法满足未来需求，定增预案发力扩产增效

　　在加速发展三维集成设备之外，拓荆科技也在薄膜沉积设备领域持续发力。

　　定增预案显示，拓荆科技计划实施“高端半导体设备产业化基地建设项目”，大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司多款薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，扩大公司业务规模。

　　拓荆科技表示，在人工智能、高性能计算等新兴领域的需求带动下，晶圆厂持续进行资本开支、扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。近年来，受益于下游市场需求旺盛，公司业务规模呈现快速增长趋势，目前的产能预计无法满足未来客户的订单需求。

　　“本项目将通过建设新产线的方式增加公司高端半导体设备的生产能力，缓解公司未来产能瓶颈，促进公司业务规模持续增长，最终实现公司可持续增长能力的有效提升。”拓荆科技表示。据介绍，“高端半导体设备产业化基地建设项目”拟投入资金17.68亿元，项目建设期5年。

　　此外，拓荆科技还计划投入20亿元建设“前沿技术研发中心建设项目”，对现有薄膜沉积设备进行工艺优化和性能提升。

　　拓荆科技表示，目前，国际知名半导体设备企业在国内高端薄膜沉积设备行业的市场占有率仍然较高，我国发展起步较晚、技术基础薄弱，尽管近年来国内企业不断加强技术研发，在部分技术领域逐步实现了突破，但在工艺复杂度较高的关键环节仍与国际最先进水平存在着一定差距。

　　此外，半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。