华为半导体负责人何庭波发布论文，披露麒麟2026芯片晶体管密度从约每平方毫米1.55亿提升至2.38亿个，跃升55%。在同等性能测试条件下，NPU功耗下降66%，GPU功耗下降58%——这一“反常识”结果的背后，是芯片架构从平面集成走向立体集成。

　　国金证券指出，逻辑折叠大幅缩短信号走线长度，直接削减占据功耗大头的互连电容开销。但立体集成的代价是工艺步骤、互连数量和制造复杂度的同步提升——这对半导体设备是积极利好：

　　前道设备需求全面增加。芯片堆叠层数和互连数量上升，刻蚀、薄膜沉积、涂胶显影及键合设备的工艺步骤和精度要求同步提升。每一层堆叠均需反复进行膜厚、关键尺寸及套刻精度量测，量测检测设备的单产线价值量随之抬升。

　　后道测试设备是更直接的增量方向。芯片堆叠层数和互连数量增加，测试复杂度、测试时长及良率管理要求同步提升。HBM采用3D堆叠架构，测试道数由传统DRAM的3~4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的5~6倍。SEMI预测，全球半导体测试设备销售额预计于2026年同比增长31%至153亿美元，并于2028年达到208亿美元。

　　国金证券强调，国内晶圆厂扩产加速、先进芯片工艺升级、存储芯片扩产加速、国产设备份额提升继续兑现，当前位置或是积极布局半导体设备板块的窗口期。

　　AI芯片的产能瓶颈正从前道晶圆制造向先进封装环节后移。CoWoS等先进封装产能持续紧缺，台积电及合作OSAT持续扩大先进封装能力，但大尺寸CoWoS-L、HBM4、中介层和高端基板仍可能局部紧张。

　　国内封测厂先进封装项目密集落地，测试机、分选机及接口件需求持续释放。全球高端ATE市场高度集中，竞争优势已由单机参数延伸至核心平台、客户验证、测试程序生态及量产交付能力。国内测试设备行业有望由单品突破逐步迈向平台化扩张，精智达、长川科技、华峰测控等在存储测试、SoC测试及功率测试等细分赛道的布局值得关注。

　　半导体设备ETF国泰跟踪中证半导体材料设备主题指数，覆盖从刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测检测到测试、封装的关键设备标的。在全球晶圆厂扩产强度持续超预期、先进逻辑与存储国产替代加速、量测/测试等低国产化率环节迎来关键突破的三重逻辑共振下，该ETF是投资者把握本轮半导体设备超级周期的核心工具。

　　半导体设备产业链涵盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测检测、测试、封装等数十个细分方向，个股技术路线差异大、客户验证节奏不一，选股难度较高。半导体设备ETF国泰跟踪中证半导体材料设备主题指数，覆盖从晶圆制造到先进封装的关键设备及零部件标的，在全球存储扩产强度持续超预期、先进逻辑国产替代加速、设备环节量价齐升的三重逻辑共振下，是投资者把握本轮半导体设备超级周期的核心工具。

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