SK海力士:HBM4、HBM 3E良率均超预期,科创芯片设计ETF天弘标的指数盘中大涨超2.5%
更新时间:2026-10-28 11:12:35 浏览次数:

  面上,据财联社,SK海力士表示,HBM4、HBM 3E良率均超预期,目前正着力提升生产效率。同时,公司正快速提高1c工艺比重,增加DDR5及面向AI服务器的LPDDR5产品销售,强化高附加值产品组合。

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